ICP Dry Etcher
System for etching of thin layers of e.g. Silicon, Silicon nitride, Silicon dioxide, Niobium, Niobium nitride, as well as deeper structures in e.g. Silicon, Silicon carbide, and Indium phosphide substrates. The etching process modes will range from Reactive Ion Etching to Remote Plasma Etching. The system will also be used for remote plasma treatment of wafer surfaces prior bonding.
Sista ansökningsdag
Tidsfristen för mottagande av anbud var 2015-05-04.
Upphandlingen offentliggjordes den 2015-03-24.
Leverantörer
Följande leverantörer nämns i tilldelningsbeslut eller andra upphandlingsdokument:
Vem?
Vad?
Var?
Upphandlingshistorik
Datum |
Dokument |
2015-03-24
|
Meddelande om upphandling
|
2015-11-02
|
Meddelande om tilldelning
|